AS4C128M8D3LC-12BCN

Alliance Memory
913-4C128M8D3LC12BCN
AS4C128M8D3LC-12BCN

Ürt.:

Açıklama:
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (C-die), Commercial Temp - Tray

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 308

Stok:
308 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
8 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
308'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
6,28 € 6,28 €
5,84 € 58,40 €
5,66 € 141,50 €
5,53 € 276,50 €
5,39 € 539,00 €
5,00 € 1.050,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Alliance Memory
Ürün Kategorisi: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
1 Gbit
8 bit
800 MHz
FBGA-78
128 M x 8
225 ps
1.283 V
1.45 V
0 C
+ 95 C
Tray
Marka: Alliance Memory
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
Ürün Tipi: DRAM
Fabrika Paket Miktarı: 210
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Besleme Akımı - Maks: 72 mA
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.