AS4C64M4SA-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C64M4SA7TCN
AS4C64M4SA-7TCN

Ürt.:

Açıklama:
DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 64M x 4 SDRAM

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 99

Stok:
99 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
20 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
4,84 € 4,84 €
4,52 € 45,20 €
4,39 € 109,75 €
4,30 € 215,00 €
4,18 € 451,44 €
4,04 € 872,64 €
3,94 € 2.127,60 €
3,91 € 4.222,80 €
3,79 € 9.823,68 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Alliance Memory
Ürün Kategorisi: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
4 bit
143 MHz
TSOP-II-54
64 M x 4
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C64M4SA
Tray
Marka: Alliance Memory
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
Ürün Tipi: DRAM
Fabrika Paket Miktarı: 108
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Besleme Akımı - Maks: 55 mA
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.