CDMSJ22013.8-650 SL

Central Semiconductor
610-CDMSJ220138650SL
CDMSJ22013.8-650 SL

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 429

Stok:
429 Hemen Gönderilebilir
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
3,53 € 3,53 €
1,81 € 18,10 €
1,63 € 163,00 €
1,38 € 690,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Central Semiconductor
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
650 V
13.8 A
280 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
35.7 W
Enhancement
Tube
Marka: Central Semiconductor
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: CN
Düşüş Zamanı: 66 ns
İleri İletkenlik - Min: 13 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 69 ns
Fabrika Paket Miktarı: 50
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: N-Channel Super Junction Power MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 171 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 43 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low RDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).