IS25LP512MJ-RMLA3-TY

ISSI
870-25LP512MJRMLA3TY
IS25LP512MJ-RMLA3-TY

Ürt.:

Açıklama:
Evrensel Flaş Depolama - UFD 512Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, dedicated reset pin, Tray, new die, Auto Grade

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 176

Stok:
176 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
12 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
176'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Minimum: 1   Çoklu: 1   Maksimum: 200
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
8,57 € 8,57 €
7,96 € 79,60 €
7,72 € 193,00 €
7,53 € 376,50 €
7,44 € 744,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
ISSI
Ürün Kategorisi: Evrensel Flaş Depolama - UFD
RoHS:  
512 Mb
SPI, QPI
- 40 C
+ 125 C
SOIC-16
Marka: ISSI
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: TW
Montaj Stili: SMD/SMT
Ürün: Flash Memory
Ürün Tipi: Universal Flash Storage (UFS)
Fabrika Paket Miktarı: 176
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Besleme Voltajı - Maks: 3.6 V
Besleme Voltajı - Min: 2.7 V
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.1.a

IS25LP512MJ & IS25WP512MJ Flash Memory Devices

ISSI IS25LP512MJ and IS25WP512MJ Flash Memory Devices are versatile storage solutions designed for systems that require limited space, low pin count, and low power consumption. These devices are accessed through a 4-wire SPI interface. The interface includes a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins. The IS25LP512MJ and IS25WP512MJ Flash memory devices support Double Transfer Rate (DTR) commands that transfer addresses and read data on both edges of the clock. These devices feature 80MHz normal read, up to 166MHz fast read, 1μA deep power down, 6μA standby current, and 8mA active read current. The IS25LP512MJ and IS25WP512MJ Flash memory devices offer more than 20 years of data retention.