IXBF55N300

IXYS
747-IXBF55N300
IXBF55N300

Ürt.:

Açıklama:
IGBTs High Voltage High Gain BIMOSFET

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
Minimum: 300   Çoklu: 25
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
89,24 € 26.772,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
IXYS
Ürün Kategorisi: IGBTs
RoHS:  
Si
ISOPLUS i4-PAC-3
Through Hole
Single
3 kV
2.7 V
- 25 V, 25 V
86 A
357 W
- 55 C
+ 150 C
Very High Voltage
Tube
Marka: IXYS
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: PH
Kapı Verici Kaçak Akımı: +/- 200 nA
Ürün Tipi: IGBT Transistors
Fabrika Paket Miktarı: 25
Alt kategori:: IGBTs
Ticari Unvan: BIMOSFET
Birim Ağırlık: 5 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Medical Equipment Solutions

Littelfuse Medical Equipment Solutions provide robust designed and quality components needed to help with reliable operating and equipment up-time. These solutions include ventilators, defibrillator, and ultrasounds. Littelfuse Medical Equipment Solutions are ideal for life support systems, patient care equipment, and patient monitoring systems.

High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.