IXFK120N30P3

IXYS
747-IXFK120N30P3
IXFK120N30P3

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
IXYS IXFK120N30P3 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
39 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
16,26 € 16,26 €
10,92 € 109,20 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
IXYS
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
300 V
120 A
27 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
150 nC
- 55 C
+ 150 C
1.13 mW
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marka: IXYS
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: PH
Ürün Tipi: MOSFETs
Seri: IXFK120N30
Fabrika Paket Miktarı: 25
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Birim Ağırlık: 10 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Qg and RDS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent reduction in gate charge (Qg) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.