IXFN110N60P3

IXYS
747-IXFN110N60P3
IXFN110N60P3

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 5

Stok:
5
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
300
Beklenen 13.05.2026
350
Beklenen 3.07.2026
Fabrika Teslim Süresi:
26
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
38,20 € 38,20 €
31,24 € 312,40 €
30,07 € 3.007,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
IXYS
Ürün Kategorisi: MOSFET Modules
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
600 V
90 A
56 mOhms
- 30 V, + 30 V
3 V
- 55 C
+ 150 C
1.5 mW
IXFN110N60
Tube
Marka: IXYS
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: KR
Düşüş Zamanı: 15 ns
Ürün Tipi: MOSFET Modules
Yükseliş zamanı: 30 ns
Fabrika Paket Miktarı: 10
Alt kategori:: Discrete and Power Modules
Ticari Unvan: HiPerFET
Tip: HiperFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 106 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 63 ns
Birim Ağırlık: 30 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Qg and RDS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent reduction in gate charge (Qg) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.