Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IXFN230N20T

Name: IXYS IXFN230N20T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN230N20T
Price: 32.6 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

747-IXFN230N20T

Ürt. Numarası:

IXFN230N20T

Ürt.:

IXYS

Açıklama:

MOSFET Modules 230A 200V

Veri Sayfası:

IXFN230N20T Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

IXYS IXFN230N20T hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 368

Beklenen 15.07.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 23

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	32,60 €	32,60 €
	26,30 €	263,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	IXYS
Ürün Kategorisi:	MOSFET Modules
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	SOT-227-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	200 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	220 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	7.5 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	3 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	1.09 mW
Seri:	IXFN230N20
Paketleme:	Tube
Marka:	IXYS
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	17 ns
Yükseklik:	12.22 mm
Uzunluk:	38.23 mm
Ürün Tipi:	MOSFET Modules
Yükseliş zamanı:	38 ns
Fabrika Paket Miktarı:	10
Alt kategori::	Discrete and Power Modules
Ticari Unvan:	HiPerFET
Tip:	GigaMOS Power MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	62 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	58 ns
Genişlik:	25.42 mm
Birim Ağırlık:	30 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IXFN230N20T Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541500000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.