IXFN240N15T2

IXYS
747-IXFN240N15T2
IXFN240N15T2

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
23 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 300   Çoklu: 10
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
29,75 € 8.925,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
IXYS
Ürün Kategorisi: MOSFET Modules
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
150 V
240 A
5.2 mOhms
- 20 V, + 20 V
5 V
- 55 C
+ 175 C
830 W
IXFN240N15
Tube
Marka: IXYS
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: KR
Düşüş Zamanı: 145 ns
Ürün Tipi: MOSFET Modules
Yükseliş zamanı: 125 ns
Fabrika Paket Miktarı: 10
Alt kategori:: Discrete and Power Modules
Ticari Unvan: HiPerFET
Tip: GigaMOS Trench T2 HiperFet
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 77 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 48 ns
Vr - Ters Voltaj: 75 V
Birim Ağırlık: 30 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.