Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IXFN26N100P

Name: IXYS IXFN26N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN26N100P
Price: 44.02 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

747-IXFN26N100P

Ürt. Numarası:

IXFN26N100P

Ürt.:

IXYS

Açıklama:

Ayrık Yarı İletken Modüller 26 Amps 1000V 0.39 Rds

Veri Sayfası:

IXFN26N100P Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

IXYS IXFN26N100P hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: Stokta Yok

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 27 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 300 Çoklu: 10

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	44,02 €	13.206,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	IXYS
Ürün Kategorisi:	Ayrık Yarı İletken Modüller
RoHS:
Teknoloji:	Si
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 30 V, + 30 V
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	SOT-227-4
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Seri:	IXFN26N100
Paketleme:	Tube
Marka:	IXYS
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	KR
Düşüş Zamanı:	50 ns
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	23 A
Pd - Güç Dağılımı:	595 W
Ürün Tipi:	Discrete Semiconductor Modules
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	390 mOhms
Yükseliş zamanı:	45 ns
Fabrika Paket Miktarı:	10
Alt kategori::	Discrete Semiconductor Modules
Ticari Unvan:	HiPerFET
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	72 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	45 ns
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1 kV
Birim Ağırlık:	30 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IXFN26N100P Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.