Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IXFN32N100P

Name: IXYS IXFN32N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN32N100P
Price: 32.47 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

747-IXFN32N100P

Ürt. Numarası:

IXFN32N100P

Ürt.:

IXYS

Açıklama:

MOSFET Modules 32 Amps 1000V 0.32 Rds

Veri Sayfası:

IXFN32N100P Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

IXYS IXFN32N100P hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 196

Stok:: 196 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 27 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	32,47 €	32,47 €
	24,14 €	241,40 €
	22,52 €	2.252,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	IXYS
Ürün Kategorisi:	MOSFET Modules
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	SOT-227-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	27 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	320 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	6.5 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	690 W
Seri:	IXFN32N100
Paketleme:	Tube
Marka:	IXYS
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	KR
Düşüş Zamanı:	43 ns
Yükseklik:	12.22 mm
Uzunluk:	38.23 mm
Ürün Tipi:	MOSFET Modules
Yükseliş zamanı:	55 ns
Fabrika Paket Miktarı:	10
Alt kategori::	Discrete and Power Modules
Ticari Unvan:	HiPerFET
Tip:	Polar Power MOSFET HiPerFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	76 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	50 ns
Genişlik:	25.42 mm
Birim Ağırlık:	30 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IXFN32N100P Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.