IXFN48N60P

IXYS
747-IXFN48N60P
IXFN48N60P

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET Modules 600V 48A

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 197

Stok:
197
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
160
Beklenen 6.07.2026
1.220
Beklenen 8.07.2026
Fabrika Teslim Süresi:
27
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
26,32 € 26,32 €
22,44 € 224,40 €
19,63 € 1.963,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
IXYS
Ürün Kategorisi: MOSFET Modules
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
600 V
40 A
140 mOhms
- 30 V, + 30 V
- 55 C
+ 150 C
625 W
IXFN48N60
Tube
Marka: IXYS
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: KR
Düşüş Zamanı: 22 ns
Yükseklik: 9.6 mm
Uzunluk: 38.23 mm
Ürün Tipi: MOSFET Modules
Yükseliş zamanı: 25 ns
Fabrika Paket Miktarı: 10
Alt kategori:: Discrete and Power Modules
Ticari Unvan: HiPerFET
Tip: HiperFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 85 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 30 ns
Genişlik: 25.42 mm
Birim Ağırlık: 30 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.