IXFN60N80P

IXYS
747-IXFN60N80P
IXFN60N80P

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET Modules DIODE Id54 BVdass800

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 333

Stok:
333 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
27 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
38,76 € 38,76 €
32,60 € 326,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
IXYS
Ürün Kategorisi: MOSFET Modules
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
800 V
53 A
140 mOhms
- 30 V, + 30 V
- 55 C
+ 150 C
1.04 mW
IXFN60N80
Tube
Marka: IXYS
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 26 ns
Yükseklik: 9.6 mm
Uzunluk: 38.23 mm
Ürün Tipi: MOSFET Modules
Yükseliş zamanı: 29 ns
Fabrika Paket Miktarı: 10
Alt kategori:: Discrete and Power Modules
Ticari Unvan: HiPerFET
Tip: HiperFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 110 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 36 ns
Genişlik: 25.42 mm
Birim Ağırlık: 30 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8504901900
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.