Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IXFN80N50Q3

Name: IXYS IXFN80N50Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN80N50Q3
Price: 43.55 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

747-IXFN80N50Q3

Ürt. Numarası:

IXFN80N50Q3

Ürt.:

IXYS

Açıklama:

MOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A

Veri Sayfası:

IXFN80N50Q3 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

IXYS IXFN80N50Q3 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 203

Stok:: 203 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	43,55 €	43,55 €
	37,64 €	376,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	IXYS
Ürün Kategorisi:	MOSFET Modules
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	SOT-227-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	500 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	63 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	65 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 30 V, + 30 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	780 W
Seri:	HiPerFET
Paketleme:	Tube
Marka:	IXYS
Yapılandırma:	Single
Ürün Tipi:	MOSFET Modules
Yükseliş zamanı:	250 ns
Fabrika Paket Miktarı:	10
Alt kategori::	Discrete and Power Modules
Ticari Unvan:	HiPerFET
Birim Ağırlık:	30 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IXFN80N50Q3 Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

Q3-Class HiperFET™ Power MOSFETs

IXYS Q3-Class HiperFET™ Power MOSFETs provide the end-user with a broad range of devices with exceptional power-switching performance. They also offer excellent thermal characteristics, enhanced device ruggedness, and high energy efficiency. These MOSFETs come with drain-to-source voltage ratings of 200V to 1000V and drain current ratings of 10A to 100A. These features make the Q3-Class an optimized combination of low on-state resistance (R_dson) and gate charge (Q_g), substantially reducing the device's conduction and switching loss. Power switching capabilities and device ruggedness are further enhanced by utilizing the HiperFET process. This process yields a device with a fast intrinsic rectifier, which provides for a low reverse recovery charge (Q_rr) while enhancing the device's commutating dv/dt ratings (up to 50V/ns).