Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IXFT94N30T

Name: IXYS IXFT94N30T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT94N30T
Price: 18.32 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

747-IXFT94N30T

Ürt. Numarası:

IXFT94N30T

Ürt.:

IXYS

Açıklama:

MOSFET'ler Trench HiperFET Power MOSFET

Veri Sayfası:

IXFT94N30T Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

IXYS IXFT94N30T hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 259

Stok:: 259

Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 120

Beklenen 22.07.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 25

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	18,32 €	18,32 €
	15,62 €	156,20 €
	13,50 €	1.620,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	IXYS
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	300 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	94 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	36 mOhms
Ticari Unvan:	HiPerFET
Paketleme:	Tube
Marka:	IXYS
Yapılandırma:	Single
Ürün Tipi:	MOSFETs
Seri:	IXFT94N30
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Birim Ağırlık:	6,500 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IXFT94N30T Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.