Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IXSJ25N120R1

Name: IXYS IXSJ25N120R1
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSJ25N120R1
Price: 11.82 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

747-IXSJ25N120R1

Ürt. Numarası:

IXSJ25N120R1

Ürt.:

IXYS

Açıklama:

SiC MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

IXSJ25N120R1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

IXYS IXSJ25N120R1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 402

Stok:: 402 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 33 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	11,82 €	11,82 €
	8,82 €	88,20 €
	7,63 €	915,60 €
	7,22 €	3.682,20 €
	6,14 €	6.262,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	IXYS
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-3L
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	28 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	81 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.8 V
Qg - Kapı Şarjı:	52 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	75.3 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	IXYS
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	8 ns
İleri İletkenlik - Min:	8.3 ns
Paketleme:	Tube
Ürün:	Power MOSFETs
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	20 ns
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tip:	Power MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	25 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	10 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IXSJ25N120R1 Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSJxN120R1 1.200 V SiC Güç MOSFET'leri

Littelfuse IXSJxN120R1 1200V Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs are high-performance devices designed for demanding power conversion applications. The Littelfuse IXSJxN120R1 MOSFETs leverage the superior properties of SiC technology to deliver low switching losses, high efficiency, and excellent thermal performance. The IXSJ25N120R1 offers a typical R_DS(on) of 80mΩ and is optimized for lower current applications, while the IXSJ43N120R1 and IXSJ80N120R1 provide lower on-resistance values of 45mΩ and 20mΩ, respectively, supporting higher current handling capabilities. All three devices feature fast switching speeds, robust avalanche capability, and a Kelvin source pin for improved gate drive control. These characteristics make the IXSJxN120R1 series ideal for use in electric vehicle inverters, solar inverters, industrial motor drives, and high-efficiency power supplies.