IXTP170N13X4

IXYS
747-IXTP170N13X4
IXTP170N13X4

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler IXTP170N13X4

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
IXYS IXTP170N13X4 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
27 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 300   Çoklu: 50
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
8,08 € 2.424,00 €
7,65 € 3.825,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
IXYS
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
135 V
170 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
480 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marka: IXYS
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 7 ns
İleri İletkenlik - Min: 70 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 8 ns
Seri: X4-Class
Fabrika Paket Miktarı: 50
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 46 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 26 ns
Birim Ağırlık: 2 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

X4-Class 135V-200V Power MOSFETs

IXYS X4-Class 135V-200V Power MOSFETs are developed using a charge compensation principle and proprietary process technology. This technology results in Power MOSFETs with significantly reduced resistance RDS(on) and gate charge Qg. A low on-state resistance reduces the conduction losses and lowers the energy stored in the output capacitance, minimizing the switching losses. A low gate charge results in higher efficiency at light loads and lowers gate drive requirements. These MOSFETs are also avalanche-rated and exhibit a superior dv/dt performance. Due to its positive temperature coefficient of on-state resistance, these MOSFETs can be operated in parallel to meet higher current requirements.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Supercharged Solutions for EV Charging Systems

Littelfuse application expertise has helped to engineer some of the most advanced systems for EV charging stations. Whether developing alternating current (AC) charging systems, which provide AC power to a vehicle’s on-board charger, or direct current (DC) fast chargers, which provide DC power to a vehicle’s battery system, Littelfuse can help designers meet three key goals of safety, efficiency, and reliability.

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.