Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

LSIC1MO120E0080

Name: IXYS LSIC1MO120E0080
Brand: IXYS
SKU: 576-LSICMO120E0080
Price: 16.21 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

576-LSICMO120E0080

Ürt. Numarası:

LSIC1MO120E0080

Ürt.:

IXYS

Açıklama:

SiC MOSFETs 1200V 80mOhm SiC MOSFET

Veri Sayfası:

LSIC1MO120E0080 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

IXYS LSIC1MO120E0080 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 4.196

Stok:: 4.196 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 29 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	16,21 €	16,21 €
	13,40 €	134,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	IXYS
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	39 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	80 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.8 V
Qg - Kapı Şarjı:	95 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	179 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	IXYS
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	6 ns
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	10 ns
Seri:	LSIC1MO
Fabrika Paket Miktarı:	450
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	16 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	10 ns
Birim Ağırlık:	6 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

LSIC1MO120E0080 Veri Sayfası (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.