IKB40N65EF5ATMA1

Infineon Technologies
726-IKB40N65EF5ATMA1
IKB40N65EF5ATMA1

Ürt.:

Açıklama:
IGBTs INDUSTRY

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 344

Stok:
344 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
19 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
3,42 € 3,42 €
2,24 € 22,40 €
1,68 € 168,00 €
1,52 € 760,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
1,42 € 1.420,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: IGBTs
RoHS:  
Si
D2PAK-3 (TO-263-3)
SMD/SMT
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
74 A
250 W
- 40 C
+ 175 C
Trenchstop IGBT5
Reel
Cut Tape
Marka: Infineon Technologies
Sürekli Kollektör Akımı Ic Maks: 74 A
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: DE
Kapı Verici Kaçak Akımı: 100 nA
Ürün Tipi: IGBT Transistors
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: IGBTs
Ticari Unvan: TRENCHSTOP
Parça No Takma Adları: IKB40N65EF5 SP001509612
Birim Ağırlık: 1,561 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs are optimized for switching >60kHz to deliver optimum efficiency, bridging the gap between MOSFETs and IGBTs. The F5 series features significantly lower switching losses compared to currently leading solutions. Targeting topologies are boost stages, PFC (AC-DC) stages, and high voltage DC-DC topologies commonly found in applications like uninterruptible power supplies (UPS), inverter welding machines, and switch-mode power supplies. The 650V TRENCHSTOP 5 F5 IGBTs are targeted for low inductance designs in combination with SiC diodes to offer 1% higher efficiency compared to 650V TRENCHSTOP 5 H5 family.

TRENCHSTOP™ 5 IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 IGBTs are the next generation of thin wafer IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that feature significantly lower conduction and switching losses compared to currently leading solutions. TRENCHSTOP 5 is designed for applications where switching >10kHz. The wafer thickness has been reduced by >25%, which enables a dramatic improvement in both switching and conduction losses, while providing a breakthrough voltage of 650V. This quantum leap in efficiency opens up new opportunities for designers to explore.