Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IMBF170R650M1XTMA1

Name: Infineon IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBF170R650M1XTM
Price: 4.69 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

726-IMBF170R650M1XTM

Ürt. Numarası:

IMBF170R650M1XTMA1

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Veri Sayfası:

IMBF170R650M1XTMA1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies IMBF170R650M1XTMA1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 974

Beklenen 7.05.2026

1.000

Beklenen 28.05.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 26

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	4,69 €	4,69 €
	3,13 €	31,30 €
	2,24 €	224,00 €
	2,17 €	1.085,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
	2,02 €	2.020,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	TO-263-7
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.7 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	7.4 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	650 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V, + 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.5 V
Qg - Kapı Şarjı:	8 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	88 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	CoolSiC
Marka:	Infineon Technologies
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	AT
Düşüş Zamanı:	22 ns
İleri İletkenlik - Min:	0.65 S
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	16 ns
Seri:	CoolSiC 1700V
Fabrika Paket Miktarı:	1000
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	24 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	22 ns
Parça No Takma Adları:	IMBF170R650M1 SP002739686
Birim Ağırlık:	1,600 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IMBF170R650M1XTMA1 Veri Sayfası (PDF)

Product Catalogs

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs

Infineon CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs feature a revolutionary Silicon Carbide material optimized for fly-back topologies. The SiC Trench MOSFETs offer a 12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers.