IMLT65R026M2HXTMA1

Infineon Technologies
726-IMLT65R026M2HXTM
IMLT65R026M2HXTMA1

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 1.048

Stok:
1.048
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
1.800
Fabrika Teslim Süresi:
25
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
9,56 € 9,56 €
6,63 € 66,30 €
5,57 € 557,00 €
5,20 € 5.200,00 €
Tam Makara (1800'in katları olarak sipariş verin)
5,20 € 9.360,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
82 A
33 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.6 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
365 W
Enhancement
CoolSiC
Marka: Infineon Technologies
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: MY
Dağıtım Ülkesi: AT
Menşe Ülke: AT
Düşüş Zamanı: 5.1 ns
Paketleme: Reel
Paketleme: Cut Tape
Ürün: MOSFETs
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 10.1 ns
Seri: 650V G2
Fabrika Paket Miktarı: 1800
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: SiC
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tip: SiC MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 16 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 9.3 ns
Parça No Takma Adları: IMLT65R026M2H SP005969467
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 650V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 Silicon Carbide MOSFETs leverage silicon carbide's performance capabilities by enabling lower energy loss, which translates into higher efficiency during power conversion. Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFETs provide benefits for various power semiconductor applications like photovoltaics, energy storage, DC EV charging, motor drives, and industrial power supplies. A DC fast charging station for electric vehicles equipped with CoolSiC G2 allows for up to 10% less power loss than previous generations while enabling higher charging capacity without compromising form factors.