IMW120R090M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMW120R090M1HXKS
IMW120R090M1HXKSA1

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Siparişte:
480
Beklenen 11.02.2027
Fabrika Teslim Süresi:
26
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
5,98 € 5,98 €
3,96 € 39,60 €
3,47 € 347,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
26 A
117 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
115 W
Enhancement
CoolSiC
Marka: Infineon Technologies
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: AT
Düşüş Zamanı: 12.6 ns
İleri İletkenlik - Min: 5 S
Paketleme: Tube
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 4 ns
Seri: IMW120RXM1H
Fabrika Paket Miktarı: 240
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 11.5 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 5.2 ns
Parça No Takma Adları: IMW120R090M1H SP001946164
Birim Ağırlık: 6 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

Industrial Drives

Infineon Industrial Drives offer a broad portfolio of efficient semiconductors optimized for motor drives. The designer can rely on Infineon intelligent power modules (IPMs) and discretes for smart designs in the low-power range. For medium-power drives, the Infineon EasyPIM™, EasyPACK™, and EconoPIM™ modules are the perfect match. Moving on to the high-power spectrum, EconoDUAL™ and PrimePACK™ are the solutions of choice. These are combined with the innovative .XT interconnection technology. PrimePACK modules can help designers overcome the overrating dilemma by extending the lifetime by raising thermal and power cycling capabilities.