Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IPB038N15NM6ATMA1

Name: Infineon IPB038N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB038N15NM6ATMA
Price: 4.48 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

726-IPB038N15NM6ATMA

Ürt. Numarası:

IPB038N15NM6ATMA1

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

MOSFET'ler OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

IPB038N15NM6ATMA1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies IPB038N15NM6ATMA1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 1.043

Stok:: 1.043 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	4,48 €	4,48 €
	2,98 €	29,80 €
	2,13 €	213,00 €
	2,04 €	1.020,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
	1,91 €	1.910,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	150 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	156 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	3.6 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Qg - Kapı Şarjı:	69 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	294 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	OptiMOS
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	AT
Düşüş Zamanı:	15 ns
İleri İletkenlik - Min:	60 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	17 ns
Fabrika Paket Miktarı:	1000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	27 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	18 ns
Parça No Takma Adları:	IPB038N15NM6 SP006055087

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IPB038N15NM6ATMA1 Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 150 V Güç MOSFET'leri

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs feature industry-leading low R_DS(on), improved switching performance, and excellent EMI behavior, which contribute to unparalleled efficiency, power density, and reliability. The OptiMOS 6 technology offers significant improvements over its predecessor, OptiMOS 5, including up to 41% lower R_DS(on), 20% lower FOM_g, and 17% lower FOM_gd. Additionally, these MOSFETs exhibit high avalanche ruggedness and a maximum junction temperature of +175°C, ensuring robust and stable operation in demanding environments. With a wide package portfolio, Infineon OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of both high and low-switching frequency applications, providing enhanced system reliability and a longer lifetime.

OptiMOS™ 6 Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Power MOSFETs offer next-generation, cutting-edge innovation and best-in-class performance. The OptiMOS 6 family utilizes thin wafer technology that enables significant performance benefits. Compared to alternative products, the OptiMOS 6 Power MOSFETs have a reduced R_DS(ON) of 30% and are optimized for synchronous rectification. These MOSFETs are available in various voltage nodes, including 40V, 60V, 100V, 120V, 135V, 150V, and 200V.