Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IR2233SPbF

Name: Infineon IR2233SPbF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IR2233SPBF
Price: 5.51 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

942-IR2233SPBF

Ürt. Numarası:

IR2233SPbF

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

Kapı Sürücüleri 1200V 3-Phase,0.5A OCP, OPAMP, FAULT,SD

Veri Sayfası:

IR2233SPbF Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies IR2233SPbF hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 2.815

Stok:: 2.815 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 24 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

2815'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	5,51 €	5,51 €
	4,26 €	42,60 €
	3,95 €	98,75 €
	3,61 €	361,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	Kapı Sürücüleri
RoHS:
Ürün:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tip:	Half-Bridge
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	SOIC-28
Sürücü Sayısı:	6 Driver
Çıkış Sayısı:	6 Output
Çıkış Akımı:	500 mA
Besleme Voltajı - Min:	10 V
Besleme Voltajı - Maks:	20 V
Yükseliş zamanı:	90 ns
Düşüş Zamanı:	40 ns
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 125 C
Seri:	IR223X
Paketleme:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	TW
Özellikler:	Independent
Mantık Türü:	CMOS, LSTTL
Maksimum Kapatma Gecikme Süresi:	700 ns
Maksimum Açılma Gecikme Süresi:	750 ns
Neme Duyarlı:	Yes
İşletim Besleme Akımı:	4 mA
Pd - Güç Dağılımı:	1.6 W
Ürün Tipi:	Gate Drivers
Yayılma Gecikmesi - Maks:	1 us
Kapanma:	Shutdown
Fabrika Paket Miktarı:	2000
Alt kategori::	PMIC - Power Management ICs
Teknoloji:	Si
Ticari Unvan:	EiceDRIVER
Birim Ağırlık:	2,215 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IR2233SPbF Veri Sayfası (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

Technical Resources

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310075
KRHTS:: 8542311000
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate Driver ICs

Infineon Technologies IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate Driver ICs feature three independent high-side and low-side referenced output channels for 3-phase applications. The Gate Driver ICs have a proprietary HVIC technology that enables ruggedized monolithic construction. The IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 ICs have logic inputs compatible with CMOS or LSTTL outputs down to 2.5V logic. Additionally, the devices provide an independent operational amplifier. This amplifier permits analog feedback of bridge current via an external current sense resistor.

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.

IR2233/IR2235 MOSFET & IGBT Drives

Infineon Technologies IR2233/IR2235 MOSFET and IGBT Drives feature three independent high- and low-side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs down to 2.5V logic. An independent operational amplifier provides analog feedback of bridge current via an external current sense resistor.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.