ISC028N04NM5ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC028N04NM5ATMA
ISC028N04NM5ATMA1

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler IFX FET 40V

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 13.077

Stok:
13.077 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
52 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (5000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
1,31 € 1,31 €
0,826 € 8,26 €
0,55 € 55,00 €
0,432 € 216,00 €
0,378 € 378,00 €
0,372 € 930,00 €
Tam Makara (5000'in katları olarak sipariş verin)
0,353 € 1.765,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
121 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Infineon Technologies
Montaj Ülkesi: MY
Dağıtım Ülkesi: DE
Menşe Ülke: DE
Ürün Tipi: MOSFETs
Fabrika Paket Miktarı: 5000
Alt kategori:: Transistors
Parça No Takma Adları: ISC028N04NM5 SP005399107
Birim Ağırlık: 369,800 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.