Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

CGH40010F

Name: MACOM CGH40010F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH40010F
Price: 82.82 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

941-CGH40010F

Ürt. Numarası:

CGH40010F

Ürt.:

MACOM

Açıklama:

GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt

Veri Sayfası:

CGH40010F Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

MACOM CGH40010F hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 3.326

Stok:: 3.326 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	82,82 €	82,82 €
	63,86 €	638,60 €
	62,18 €	6.218,00 €
500	Fiyat Teklifi

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	MACOM
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	440166
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	120 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	1.5 A
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	- 3 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Marka:	MACOM
Yapılandırma:	Single
Geliştirme Kiti:	CGH40010-TB
Kazanç:	14.5 dB
Maksimum Çalışma Frekansı:	6 GHz
Minimum Çalışma Frekansı:	2 GHz
Çıkış Gücü:	12.5 W
Paketleme:	Tray
Ürün:	GaN HEMTs
Ürün Tipi:	GaN FETs
Fabrika Paket Miktarı:	100
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN
Transistör Tipi:	GaN HEMT
Vgs - Kapı Kaynağı Arıza Voltajı:	- 10 V to 2 V
Birim Ağırlık:	7,396 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

CGH40010F Veri Sayfası (PDF)

PCN

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.