Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

GTVA261802FC-V1-R2

Mouser Numarası:

941-GTVA261802FCV1R2

Ürt. Numarası:

GTVA261802FC-V1-R2

Ürt.:

MACOM

Açıklama:

GaN FETs 180W, GaN HEMT, 48V, 2496-2690MHz, 248 PP

Yaşam Döngüsü:

Fabrika Özel Siparişi:

Üreticinin mevcut fiyatını, teslimat süresini ve sipariş gereksinimlerini doğrulamak için bir fiyat teklifi alın.

Veri Sayfası:

GTVA261802FC-V1-R2 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	MACOM
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
Teknoloji:	GaN
Marka:	MACOM
Paketleme:	Reel
Ürün Tipi:	GaN FETs
Fabrika Paket Miktarı:	250
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	GaN HEMT

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

GTVA261802FC-V1-R2 Veri Sayfası (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Amerika Birleşik Devletleri
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

MACOM

GaN on SiC Transistors

Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

GaN on SiC Transistors hakkında daha fazla bilgi

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT hakkında daha fazla bilgi

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor hakkında daha fazla bilgi

5G RF JFETs & LDMOS FETs

Thermally enhanced high-power transistors for the next generation of wireless transmission.

5G RF JFETs & LDMOS FETs hakkında daha fazla bilgi

GTVA High Power RF GaN on SiC HEMTs

50V RF transistors featuring input matching, high efficiency, and thermally enhanced packages.

GTVA High Power RF GaN on SiC HEMTs hakkında daha fazla bilgi

Stok Durumu

Stok:: Stoklanmaz, Teklif İstemek İçin Arayın

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

GTVA261802FC-V1-R2

Ürt.: MACOM

Açıklama: GaN FETs 180W, GaN HEMT, 48V, 2496-2690MHz, 248 PP

Teknik Özellikler

Belgeler (2)

Veri Sayfası

PCN

Çevresel Belgeler

Ürün ve Ticaret Uyumluluğu

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER MACOM

Stok Durumu

Hızlı Görünüm

Beklenmeyen bir hata oluştu.

Ürt.:

MACOM

Açıklama:

GaN FETs 180W, GaN HEMT, 48V, 2496-2690MHz, 248 PP

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

MACOM