PXAE263708NB-V1-R0

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R0
Price: 57.22 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

941-PXAE263708NBV1R0

Ürt. Numarası:

PXAE263708NB-V1-R0

Ürt.:

MACOM

Açıklama:

RF MOSFET Transistörler 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Veri Sayfası:

PXAE263708NB-V1-R0 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

MACOM PXAE263708NB-V1-R0 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: Stokta Yok

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: Teslimat Teklifi İste

Miktar Girin:

Minimum: 50 Çoklu: 50

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Tam Makara (50'in katları olarak sipariş verin)
	57,22 €	2.861,00 €
	50,06 €	5.006,00 €
1.000	Fiyat Teklifi

Alternatif Ambalajlar

Ürt. Parça Numarası:

PXAE263708NB-V1-R2

Paketleme:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Stok Durumu:

Stokta Var

Fiyat:

101,46 €

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	MACOM
Ürün Kategorisi:	RF MOSFET Transistörler
RoHS:
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Teknoloji:	Si
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	65 V
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	80 mOhms
İşletim Frekansı:	2.62 GHz to 2.69 GHz
Kazanç:	13.5 dB
Çıkış Gücü:	400 W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 225 C
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	HB2SOF-8-1
Paketleme:	Reel
Marka:	MACOM
Kanal Sayısı:	1 Channel
Ürün Tipi:	RF MOSFET Transistors
Fabrika Paket Miktarı:	50
Alt kategori::	MOSFETs
Tip:	RF Power MOSFET
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 6 V to + 10 V

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

PXAE263708NB-V1-R0 Veri Sayfası (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

5G RF JFETs & LDMOS FETs

MACOM 5G RF Junction Field Effect Transistors (JFETs) and Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor (LDMOS) FETs are thermally enhanced high-power transistors for the next generation of wireless transmission. These devices feature GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) technology, input matching, high efficiency, and a thermally enhanced surface-mount package with an earless flange. MACOM 5G RF JFETs and LDMOS FETs are ideal for multi-standard cellular power amplifier applications.