APT10026L2FLLG

Microchip Technology
494-APT10026L2FLLG
APT10026L2FLLG

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler FREDFET MOS7 1000 V 26 Ohm TO-264 MAX

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
26 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 25   Çoklu: 25
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
64,45 € 1.611,25 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Microchip
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
38 A
260 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
267 nC
- 55 C
+ 150 C
893 W
Enhancement
Tube
Marka: Microchip Technology
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 9 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 8 ns
Fabrika Paket Miktarı: 1
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 39 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 17 ns
Birim Ağırlık: 10 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

APT10026L2FLL Power MOS 7® FREDFET

Microsemi / Microchip APT10026L2FLL Power MOS 7® FREDFET is a low loss and high voltage N-channel enhancement mode power MOSFET. This power MOSFET provides 1000V VDSS, 38A ID, and 0.26Ω RDS(on). The Power MOS 7 lowers the RDS(ON) and Qg to control the conduction and switching losses. This MOSFET combines low conduction and switching losses with fast switching speeds inherent with metal gate structure. The APT10026L2FLL Power MOS 7 FREDFET is available in a TO-264 MAX package and is easy to drive. Other features include low input capacitance, lower miller capacitance, and increased power dissipation.