APTGX600A170TDP3EG

Microchip Technology
579-TGX600A170TDP3EG
APTGX600A170TDP3EG

Ürt.:

Açıklama:
IGBT Modülleri PM-IGBT-TFS-DP3

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Siparişte:
10
Beklenen 4.05.2026
Fabrika Teslim Süresi:
28
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
190,89 € 190,89 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Microchip
Ürün Kategorisi: IGBT Modülleri
RoHS:  
IGBT Modules
Dual
1.7 kV
1.7 V
600 A
200 nA
2.272 kW
- 40 C
+ 175 C
Marka: Microchip Technology
Maksimum Kapı Verici Voltajı: 20 V
Montaj Stili: Press Fit
Ürün Tipi: IGBT Modules
Fabrika Paket Miktarı: 1
Alt kategori:: Discrete and Power Modules
Teknoloji: Si
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000

IGBT 7 Power Modules

Microchip Technology Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) 7 Power Modules consist of multiple IGBT chips and freewheeling diodes that are encapsulated in a single package, creating a compact and efficient solution for high-power applications. These modules control and convert electrical power and feature increased power capability and lower power losses. The lGBT 7 lineup includes a variety of package types and topologies with a voltage range of 1200V to 1700V and a current range of 50A to 900A. These power modules are an improvement over legacy generations by offering lower VCE(sat) and Vf, enhanced controllability of dv/dt, 50% higher current capability, overload capacity at Tj +175°C, improved freewheeling diode softness, and simpler driving. These features provide a differentiated value proposition of high power density, reduced system costs, higher efficiency, ease of use, durability, and faster time to market.