MIC4606-2YML-TR

Microchip Technology
998-MIC4606-2YMLTR
MIC4606-2YML-TR

Ürt.:

Açıklama:
Kapı Sürücüleri 85V Full Bridge FET Driver

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 2.297

Stok:
2.297
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
5.000
Beklenen 11.05.2026
Fabrika Teslim Süresi:
11
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (5000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
2,26 € 2,26 €
1,88 € 47,00 €
1,72 € 172,00 €
Tam Makara (5000'in katları olarak sipariş verin)
1,72 € 8.600,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Microchip
Ürün Kategorisi: Kapı Sürücüleri
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
Full-Bridge
SMD/SMT
QFN-16
4 Driver
4 Output
1 A
5.5 V
16 V
Non-Inverting
20 ns
20 ns
- 40 C
+ 125 C
MIC4606
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Microchip Technology
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: MY
Neme Duyarlı: Yes
Ürün Tipi: Gate Drivers
Fabrika Paket Miktarı: 5000
Alt kategori:: PMIC - Power Management ICs
Teknoloji: Si
Parça No Takma Adları: MIC4606-2YML TR
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MIC4606 85V Full Bridge MOSFET Driver

Microchip Technology MIC4606 85V Full-Bridge MOSFET Driver offers adaptive dead time and shoot-through protection. MIC4606's adaptive dead-time circuitry constantly monitors both sides of the full bridge. This design minimizes the time between high-side and low-side MOSFET transitions, which in turn maximizes power efficiency.