MSC010SDA070S

Name: Microchip MSC010SDA070S
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC010SDA070S
Price: 2.3 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

579-MSC010SDA070S

Ürt. Numarası:

MSC010SDA070S

Ürt.:

Microchip Technology

Açıklama:

SiC Schottky Diodes SIC SBD 700 V 10 A TO-268

Geliştirme Araçları Seçicisinde Görüntüle

Veri Sayfası:

MSC010SDA070S Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:: Stokta Yok

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: Teslimat Teklifi İste

Miktar Girin:

Minimum: 270 Çoklu: 30

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	2,30 €	621,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Microchip
Ürün Kategorisi:	SiC Schottky Diodes
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	TO-268-3
Yapılandırma:	Single
If - İleri Akım:	24 A
Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj:	700 V
Vf - İleri Voltaj:	1.5 V
Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı:	58 A
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Paketleme:	Tube
Marka:	Microchip Technology
Pd - Güç Dağılımı:	83 W
Ürün Tipi:	SiC Schottky Diodes
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Diodes & Rectifiers
Vr - Ters Voltaj:	700 V

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

MSC010SDA070S Veri Sayfası (PDF)

DTS

Geliştirme Araçları Seçicisinde Görüntüle

PCN

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.