Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

MSC010SDA120K

Name: Microchip MSC010SDA120K
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC010SDA120K
Price: 3.84 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

494-MSC010SDA120K

Ürt. Numarası:

MSC010SDA120K

Ürt.:

Microchip Technology

Açıklama:

SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A SiC SBD

Geliştirme Araçları Seçicisinde Görüntüle

Veri Sayfası:

MSC010SDA120K Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Microchip Technology MSC010SDA120K hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 225

Stok:: 225 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 7 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	3,84 €	3,84 €
	3,53 €	88,25 €
	3,07 €	307,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Microchip
Ürün Kategorisi:	SiC Schottky Diodes
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-220-2
Yapılandırma:	Single
If - İleri Akım:	27 A
Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj:	1.2 kV
Vf - İleri Voltaj:	1.5 V
Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı:	75 A
IR - Ters Akım:	3 uA
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Seri:	MSC0
Paketleme:	Tube
Marka:	Microchip Technology
Pd - Güç Dağılımı:	136 W
Ürün Tipi:	SiC Schottky Diodes
Fabrika Paket Miktarı:	50
Alt kategori::	Diodes & Rectifiers
Vr - Ters Voltaj:	1.2 kV

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

MSC010SDA120K Veri Sayfası (PDF)

DTS

Geliştirme Araçları Seçicisinde Görüntüle

PCN

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.