MSC025SMA120B

Microchip Technology
494-MSC025SMA120B
MSC025SMA120B

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
Geliştirme Araçları Seçicisinde Görüntüle

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
Microchip Technology MSC025SMA120B hakkında daha fazla bilgi edinin

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Microchip
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
113 A
31 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.9 V
232 nC
- 55 C
+ 175 C
577 W
Enhancement
Marka: Microchip Technology
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 25 ns
Paketleme: Tube
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 15 ns
Fabrika Paket Miktarı: 30
Alt kategori:: Transistors
Transistör Polaritesi: N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 38 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 63 ns
Birim Ağırlık: 6 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Filipinler
Montaj Ülkesi:
Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:
Stokta yok
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm2 to 15J/cm2 and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer superior dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power MOSFETs. These MOSFETs have low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and good avalanche ruggedness. The SiC MOSFETs can stabilize operation at 175°C high junction temperature. These MOSFETs provide high efficiency with low switching losses. The SiC MOSFETs do not require any freewheeling diodes. Typical applications include smart grid transmission and distribution, induction heating and welding, and power supply and distribution.

Stokta Var: 106

Stok:
106 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
33,95 € 33,95 €
30,09 € 300,90 €
26,93 € 807,90 €
26,87 € 3.224,40 €

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.