Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

MSC090SMA070S

Name: Microchip MSC090SMA070S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC090SMA070S
Price: 4.14 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

494-MSC090SMA070S

Ürt. Numarası:

MSC090SMA070S

Ürt.:

Microchip Technology

Açıklama:

SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268

Geliştirme Araçları Seçicisinde Görüntüle

Veri Sayfası:

MSC090SMA070S Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Microchip Technology MSC090SMA070S hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 8 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	4,14 €	4,14 €
	3,82 €	114,60 €
	3,32 €	398,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Microchip
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	D3PAK-3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	700 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	25 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	111 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	1.9 V
Qg - Kapı Şarjı:	38 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	91 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	Microchip Technology
Yapılandırma:	Single
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Birim Ağırlık:	6,200 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

MSC090SMA070S Veri Sayfası (PDF)

DTS

Geliştirme Araçları Seçicisinde Görüntüle

PCN

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer superior dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power MOSFETs. These MOSFETs have low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and good avalanche ruggedness. The SiC MOSFETs can stabilize operation at 175°C high junction temperature. These MOSFETs provide high efficiency with low switching losses. The SiC MOSFETs do not require any freewheeling diodes. Typical applications include smart grid transmission and distribution, induction heating and welding, and power supply and distribution.