MT41K512M8DA-093:P

Micron
340-265839-TRAY
MT41K512M8DA-093:P

Ürt.:

Açıklama:
DRAM DDR3 4Gbit 8 78/117TFBGA 1 CT

Yaşam Döngüsü:
Fabrika ile Durumu Doğrulayın:
Yaşam döngüsü bilgileri belirsizdir. Bu parça numarasının kullanılabilirliğini doğrulamak için üreticiden bir fiyat teklifi alın.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 2.191

Stok:
2.191 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
53 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
2191'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1   Maksimum: 2191
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
14,04 € 14,04 €
13,47 € 134,70 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Micron Technology
Ürün Kategorisi: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
4 Gbit
8 bit
1.066 GHz
FBGA-78
512 M x 8
13.09 ns
1.283 V
1.45 V
0 C
+ 95 C
MT41K
Tray
Marka: Micron
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
Ürün Tipi: DRAM
Fabrika Paket Miktarı: 1440
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Birim Ağırlık: 1,233 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MT41x DDR3 SDRAMs

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs use double data rate architecture with an interface to transfer two data words per clock cycle at I/O pins. The MT41x DDR3's double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture that helps to achieve high-speed operations. These SDRAMs operate from CK and CK# differential clock inputs. The MT41x DDR3 employs a burst-orientated approach to read and write with access starting at the selected location and continuing in a programmed sequence. These SDRAMs use READ and WRITE BL8 and BC4. The MT41x DDR3 SRAMs can operate concurrently due to their pipelined and multibank architecture. This helps in providing high bandwidth by hiding row precharge and activation time. These SDRAMs feature self-refresh mode, power-saving mode, and power-down mode.