QPD1015

Qorvo
772-QPD1015
QPD1015

Ürt.:

Açıklama:
GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 25

Stok:
25
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
25
Fabrika Teslim Süresi:
20
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
350,48 € 350,48 €
332,75 € 3.327,50 €
290,06 € 7.251,50 €
250 Fiyat Teklifi

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Qorvo
Ürün Kategorisi: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
NI-360
N-Channel
50 V
2.5 A
- 2.8 V
- 40 C
+ 85 C
64 W
Marka: Qorvo
Yapılandırma: Single
Geliştirme Kiti: QPD1015PCB401
Kazanç: 20 dB
Maksimum Çalışma Frekansı: 3.7 GHz
Minimum Çalışma Frekansı: 0 Hz
Neme Duyarlı: Yes
Çıkış Gücü: 70 W
Paketleme: Tray
Ürün Tipi: GaN FETs
Seri: QPD1015
Fabrika Paket Miktarı: 25
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: GaN
Transistör Tipi: HEMT
Vgs - Kapı Kaynağı Arıza Voltajı: 145 V
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8504409190
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.