QPD1028L

Qorvo
772-QPD1028L
QPD1028L

Ürt.:

Açıklama:
GaN FETs 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 10

Stok:
10 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
20 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
10'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
1.608,66 € 1.608,66 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Qorvo
Ürün Kategorisi: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
NI-780
65 V
19 A
- 40 C
+ 85 C
400 W
Marka: Qorvo
Kazanç: 19.8 dB
Neme Duyarlı: Yes
Çıkış Gücü: 750 W
Paketleme: Waffle
Ürün Tipi: GaN FETs
Seri: QPD1028L
Fabrika Paket Miktarı: 18
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: GaN SiC
Transistör Tipi: HEMT
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

USHTS:
8542330001
ECCN:
EAR99

QPD1028 & QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors

Qorvo QPD1028 and QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors are discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide HEMT (High-Electron-Mobility Transistors) operating from 1.2GHz to 1.4GHz. These devices provide 59dBm of saturated output power with 18dB of large-signal gain and 70% of drain efficiency. The QPD1028 and QPD1028L Transistors are internally pre-matched for optimal performance can support both continuous wave and pulsed operations.