Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

QPD2018D

Name: Qorvo QPD2018D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2018D
Price: 9.93 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

772-QPD2018D

Ürt. Numarası:

QPD2018D

Ürt.:

Qorvo

Açıklama:

RF JFET Transistörleri 0.18 mm Pwr pHEMT

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Qorvo QPD2018D hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 200

Stok:: 200 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 20 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 100 Çoklu: 100

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Tam Makara (100'in katları olarak sipariş verin)
	9,93 €	993,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Qorvo
Ürün Kategorisi:	RF JFET Transistörleri
RoHS:
Transistör Tipi:	pHEMT
Teknoloji:	GaAs
Kazanç:	14 dB
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	0.41 mm x 0.34 mm
Paketleme:	Reel
Marka:	Qorvo
NF - Gürültü Figürü:	1 dB
Ürün Tipi:	RF JFET Transistors
Seri:	QPD2018D
Fabrika Paket Miktarı:	100
Alt kategori::	Transistors

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die utilizes Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. This proven process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.