TGS2353-2-SM

Qorvo
772-TGS2353-2-SM
TGS2353-2-SM

Ürt.:

Açıklama:
RF Anahtar IC'leri .5-18GHz SPDT 10W IL <1.5dB

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 382

Stok:
382 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
12 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
186,66 € 186,66 €
126,58 € 3.164,50 €
100,14 € 10.014,00 €
250 Fiyat Teklifi

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Qorvo
Ürün Kategorisi: RF Anahtar IC'leri
RoHS:  
SPDT
500 MHz
18 GHz
1.5 dB
30 dB
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
QFN-22
Si
TGS2353
Bulk
Marka: Qorvo
Neme Duyarlı: Yes
Ürün Tipi: RF Switch ICs
Fabrika Paket Miktarı: 50
Alt kategori:: Wireless & RF Integrated Circuits
Parça No Takma Adları: TGS2353 1075676
Birim Ağırlık: 7,210 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.