Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

RD3N06BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N06BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N06BATTL1
Price: 2.6 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

755-RD3N06BATTL1

Ürt. Numarası:

RD3N06BATTL1

Ürt.:

ROHM Semiconductor

Açıklama:

MOSFET'ler Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

RD3N06BATTL1 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

ROHM Semiconductor RD3N06BATTL1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 2.130

Stok:: 2.130 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 18 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	2,60 €	2,60 €
	1,69 €	16,90 €
	1,24 €	124,00 €
	1,14 €	570,00 €
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)
	1,14 €	2.850,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	ROHM Semiconductor
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	TO-252-3
Transistör Polaritesi:	P-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	80 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	60 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	26 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Qg - Kapı Şarjı:	110 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	101 W
Kanal Modu:	Enhancement
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	170 ns
İleri İletkenlik - Min:	23 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	46 ns
Fabrika Paket Miktarı:	2500
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 P-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	265 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	27 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

RD3N06BATTL1 Veri Sayfası

Other

Chinese Datasheet

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs with low on-resistance dissipate power up to 142W. The lineup is offered in small, high-powered packages that greatly reduce the mounting area. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified, RoHS compliant, and halogen free. Ideal applications for ROHM N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs include advanced driver assistance systems (ADAS), body, lighting, and infotainment.