RQ6P020ATTCR

ROHM Semiconductor
755-RQ6P020ATTCR
RQ6P020ATTCR

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 4.215

Stok:
4.215 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
0,783 € 0,78 €
0,557 € 5,57 €
0,373 € 37,30 €
0,288 € 144,00 €
0,261 € 261,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
0,225 € 675,00 €
0,208 € 1.248,00 €
0,195 € 1.755,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
ROHM Semiconductor
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-457T-6
P-Channel
1 Channel
100 V
2 A
220 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marka: ROHM Semiconductor
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 30 ns
İleri İletkenlik - Min: 3.4 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 11 ns
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 P-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 83 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 8.9 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.