SCT4062KEC11

ROHM Semiconductor
755-SCT4062KEC11
SCT4062KEC11

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
ROHM Semiconductor SCT4062KEC11 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 833

Stok:
833 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
27 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
7,97 € 7,97 €
6,73 € 67,30 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
ROHM Semiconductor
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247N-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
26 A
81 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
64 nC
+ 175 C
115 W
Enhancement
Marka: ROHM Semiconductor
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: TH
Düşüş Zamanı: 11 ns
İleri İletkenlik - Min: 6.5 S
Paketleme: Tube
Ürün: MOSFET's
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 20 ns
Fabrika Paket Miktarı: 450
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: SiC
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 25 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 6 ns
Parça No Takma Adları: SCT4062KE
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Veri Sayfası

Specification Sheets

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.