Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

TP65H030G4PQS-TR

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PQS-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PQS-TR
Price: 8.49 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

227-TP65H030G4PQS-TR

Ürt. Numarası:

TP65H030G4PQS-TR

Ürt.:

Renesas Electronics

Açıklama:

GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

TP65H030G4PQS-TR Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Renesas Electronics TP65H030G4PQS-TR hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 351

Stok:: 351 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (2000'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	8,49 €	8,49 €
	5,86 €	58,60 €
	4,06 €	406,00 €
Tam Makara (2000'in katları olarak sipariş verin)
	4,06 €	8.120,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Renesas Electronics
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	TOLL-10
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	55.7 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	41 mOhms
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.8 V
Qg - Kapı Şarjı:	24.5 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	192 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	SuperGaN
Marka:	Renesas Electronics
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	8 ns
Neme Duyarlı:	Yes
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Ürün:	FETs
Ürün Tipi:	GaN FETs
Yükseliş zamanı:	6.4 ns
Seri:	Gen IV SuperGaN
Fabrika Paket Miktarı:	2000
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tip:	GaN FET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	63.6 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	26.4 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

TP65H030G4PQS-TR Veri Sayfası (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN^® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.