TP65H030G4PRS-TR

Renesas Electronics
227-TP65H030G4PRS-TR
TP65H030G4PRS-TR

Ürt.:

Açıklama:
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
Renesas Electronics TP65H030G4PRS-TR hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 1.428

Stok:
1.428 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (1300'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ †
8,56 € 8,56 €
5,90 € 59,00 €
4,82 € 482,00 €
Tam Makara (1300'in katları olarak sipariş verin)
4,10 € 5.330,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Renesas Electronics
Ürün Kategorisi: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
TOLT-16
N-Channel
1 Channel
650 V
55.7 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
24.5 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
SuperGaN
Marka: Renesas Electronics
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 5.2 ns
Neme Duyarlı: Yes
Paketleme: Reel
Paketleme: Cut Tape
Paketleme: MouseReel
Ürün: FETs
Ürün Tipi: GaN FETs
Yükseliş zamanı: 6.4 ns
Seri: Gen IV SuperGaN
Fabrika Paket Miktarı: 1300
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: GaN
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tip: GaN FET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 63.6 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 26.4 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Veri Sayfası

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.