Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

TP65H100G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H100G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H100G4PS
Price: 5.32 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

227-TP65H100G4PS

Ürt. Numarası:

TP65H100G4PS

Ürt.:

Renesas Electronics

Açıklama:

GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

TP65H100G4PS Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 850

Stok:: 850 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 14 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	5,32 €	5,32 €
	3,58 €	35,80 €
	2,43 €	243,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
	2,18 €	2.180,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Renesas Electronics
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-220-3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	18.9 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	110 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	3.65 V
Qg - Kapı Şarjı:	14.4 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	65.8 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	SuperGaN
Marka:	Renesas Electronics
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	7.5 ns
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Ürün:	FETs
Ürün Tipi:	GaN FETs
Yükseliş zamanı:	7.1 ns
Seri:	Gen IV SuperGaN
Fabrika Paket Miktarı:	1000
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tip:	GaN FET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	58 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	23 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

TP65H100G4PS Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.