Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

TP70H300G4JSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP70H300G4JSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP70H300G4JSGBTR
Price: 3.28 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

227-TP70H300G4JSGBTR

Ürt. Numarası:

TP70H300G4JSGB-TR

Ürt.:

Renesas Electronics

Açıklama:

GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN

Veri Sayfası:

TP70H300G4JSGB-TR Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Renesas Electronics TP70H300G4JSGB-TR hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: Stokta Yok

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 14 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 5000 Çoklu: 5000

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Tam Makara (5000'in katları olarak sipariş verin)
	3,28 €	16.400,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Renesas Electronics
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	700 V
Ticari Unvan:	SuperGaN
Marka:	Renesas Electronics
Neme Duyarlı:	Yes
Paketleme:	Reel
Ürün:	FETs
Ürün Tipi:	GaN FETs
Seri:	Gen IV SuperGaN
Fabrika Paket Miktarı:	5000
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

TP70H300G4JSGB-TR Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

USHTS:: 8541497040
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.