FERD40H100SFP

STMicroelectronics
511-FERD40H100SFP
FERD40H100SFP

Ürt.:

Açıklama:
Doğrultucular 100 V, 40 A Field-Effect Rectifier Diode (FERD)

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 4

Stok:
4
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
2.000
Beklenen 2.03.2026
Fabrika Teslim Süresi:
15
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
0,722 € 0,72 €
0,547 € 5,47 €
0,523 € 52,30 €
0,504 € 252,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: Doğrultucular
RoHS:  
Through Hole
TO-220FPAB-3
100 V
40 A
Standard Recovery Rectifier
Single
645 mV
440 A
190 uA
- 65 C
+ 175 C
FERD40H100S
Tube
Marka: STMicroelectronics
Ürün: Rectifiers
Ürün Tipi: Rectifiers
Fabrika Paket Miktarı: 50
Alt kategori:: Diodes & Rectifiers
Birim Ağırlık: 2 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

FERD Field Effect Rectifiers

STMicroelectronics Field-Effect Rectifier Diodes (FERDs) help improve applications with designs focusing on trade-off upgrades. The design of the FERDs has allowed both a decrease in the voltage drop and a decrease in the leakage current temperature coefficient. As a result, the runaway safety margin is improved and maybe beyond the typical safety margin of Schottky barrier diodes. Depending on the targeted application and its voltage, developers can now choose the best compromise in terms of forward voltage drop (VF) and leakage current (IR).