SCT018W65G3AG

STMicroelectronics
511-SCT018W65G3AG
SCT018W65G3AG

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
17 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 600   Çoklu: 600
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
9,06 € 5.436,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
HiP247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
27 mOhms
-10 V, 22 V
4.2 V
76 nC
- 55 C
+ 200 C
398 W
Enhancement
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 17 ns
Paketleme: Tube
Ürün: SiC MOSFETS
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 8 ns
Fabrika Paket Miktarı: 600
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: SiC
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 36 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 17 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99