Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

SCTW90N65G2V

Name: STMicroelectronics SCTW90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW90N65G2V
Price: 19.43 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-SCTW90N65G2V

Ürt. Numarası:

SCTW90N65G2V

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

SCTW90N65G2V Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics SCTW90N65G2V hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 47

Stok:: 47

Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 600

Beklenen 20.04.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 17

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

647'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	19,43 €	19,43 €
	17,39 €	173,90 €
	15,60 €	1.560,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	HiP-247-3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	90 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	25 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	1.9 V
Qg - Kapı Şarjı:	157 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 200 C
Pd - Güç Dağılımı:	390 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	STMicroelectronics
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	16 ns
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	38 ns
Seri:	SCTW90N
Fabrika Paket Miktarı:	600
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	58 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	26 ns
Birim Ağırlık:	4,500 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SCTW90N65G2V Veri Sayfası (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.